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A-Si Amorphus Silicon

非晶矽
利用濺鍍或是化學氣相沉積方式在玻璃或金屬基板上生成薄膜的薄膜太陽能生產方式。

BIPV Building-integrated photovoltaic

一體型太陽能電池模板
BIPV是結合太陽能發電與建築物外牆兩項功能，將太陽電池模組(module)或陣列(array)整合、設計並裝置在建築物上的雙用途產品。

CdTe Cadmium telluride

碲化鎘
CdTe屬於化合物半導體，電池轉換效率不差，若使用耐高溫(約600℃)的硼玻璃作為基板轉換效率可達16%，而使用不耐高溫但是成本較低的鈉玻璃做基板也可達到12%的轉換效率，轉換效率遠優於非晶矽材料。

CEI 904
具光譜照射光參考數據之太陽原件量測原理，等同IEC 904

CIS Copper Indium Diselenide

硒化銦銅
屬於化合物半導體，這樣的材料吸光範圍廣穩定性好，若是用聚光裝置輔助，轉換效率可達30%，標準環境測試下最高也可達到19.5%，模組的話，可達約13%。

CIGS Copper Indium Gallium Diselenide

銅銦鎵硒

屬於化合物半導體，這樣的材料吸光範圍廣穩定性好，若是用聚光裝置輔助，轉換效率可達30%，標準環境測試下最高也可達到19.5%，模組的話，可達約13%。

Dye-Sensitized Solar Cell

色素敏化染料

GaAs Multijuction

多接面砷化鎵

Nc-Si Nanocrystalline Silicon

微晶矽

是非晶矽的改良材料，其結構介於非晶矽和晶體矽之間，主要是在非晶體結構中具有微小的晶體粒子，因此同時具有非晶矽容易薄膜化，製程便宜的特性，以及晶體矽吸收光譜廣，且不易出現光劣化效應的優點，轉換效率也較高。

NOCT Nominal Operating Cell Temperature

標準操作電池溫度
在標準參考環境(SRE)下，開架式安裝模組之太陽能電池之平衡平均接面溫度。

Mc-Si(Microcrystalline Silicon)

微晶矽
是非晶矽的改良材料，其結構介於非晶矽和晶體矽之間，主要是在非晶體結構中具有微小的晶體粒子，因此同時具有非晶矽容易薄膜化，製程便宜的特性，以及晶體矽吸收光譜廣，且不易出現光劣化效應的優點，轉換效率也較高。

PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

電漿體增強化學氣相沈積
在二個電極板間外加一個射頻電壓，於是在二個電極之間的氣體會解離而產生電漿，使用電漿的輔助能量，使得沈積反應的溫度得以降低。

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